segunda-feira, 9 de outubro de 2017

Transístor 2-D é simultaneamente metal e semicondutor


Cristais de MoTe2 metálicos (esquerda), caracteristicamente retangulares, e semicondutores (direita), caracteristicamente hexagonais.




Transistores monocamadas

Os transistores eram planos, depois migraram para 3D, e então os transistores 3D foram miniaturizados até a nanoescala. A onda atual é de simplificação, voltando aos transistores não apenas planos, mas 2D mesmo, formados por camadas monoatômicas, seja de grafeno, de molibdenita ou de qualquer outro material bi ou mesmo uni-dimensional.

E o primeiro FET-2D - transístor de efeito de campo bidimensional - acaba de ser fabricado por uma equipe do Instituto de Ciências Básicas da Coreia do Sul. Ser 2D significa que o transístor inteiro é feito de um único material, neste caso de telureto de molibdênio (MoTe2).

"FETs feitos de semicondutores 2D são isentos dos efeitos de curto-circuito porque todos os elétrons ficam confinados em canais naturalmente atômicos, livres de ligações indesejadas na superfície," disse Ji Ho Sung, responsável pela construção do transístor.

Material polimórfico

A principal questão para que os transistores de materiais monoatômicos, como o grafeno e a molibdenita, cheguem ao uso prático é a existência de uma grande resistência elétrica no contato entre o semicondutor 2D e os eletrodos que transportam os sinais elétricos.

Para lidar com a questão, a equipe desenvolveu uma nova técnica para produzir transistores 2D com semicondutores e metais feitos do mesmo composto químico. Assim como os nanotubos de carbono, o MoTe2 é um material polimórfico, o que significa que ele pode vir em sabores metálico e semicondutor. Isso permitiu reduzir a resistência de contato na interface entre o semicondutor e o metal por um fator de 7, passando de 150meV para 22meV.

A equipe acredita que ainda dá para melhorar, sobretudo porque o limite quântico teórico é muito baixo. Se solucionarem o problema para o seu material, há uma grande possibilidade que a mesma solução se aplique para o grafeno e outros materiais dicalcogenetos, que geram transistores muito rápidos, mas possuem o mesmo problema de interconexão com os circuitos metálicos.


sexta-feira, 8 de setembro de 2017

Mais um espertinho

Pessoal, mais um espertinho que baixou as revistas aqui no blog e colocou a venda no mercado livre, vou deixar o link do anúncio para quem quiser entrar e fazer a denúncia, eu já denunciei, agora vamos ver se o mercado livre faz a parte dele.

Naquela última vez, como o mercado livre recebeu diversas denúncias o vendedor não conseguiu mais publicar e eu agradeço muito a todos que fizeram as denúncias comigo.

Vou deixar uma pergunta no anúncio, mas como o proprietário pode apagar talvez não seja publicada.

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Atualização

Parece que o anúncio foi finalizado vamos aguardar uns dias para ver se vai voltar pois como eu fiz a denúncia em todos os anúncios de revistas talvez o mercado livre finalize só para analisar o pedido de denúncia.

Mais um vendedor no ML vendendo as revistas.

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Vamos denunciar esse pilantra.

segunda-feira, 4 de setembro de 2017

Moléculas individuais funcionam como transistores a temperatura ambiente


O aglomerado molecular é maior do que uma molécula individual, mas é estável o suficiente para operar a temperatura ambiente.



Eletrônica molecular

Um dos principais objetivos da eletrônica molecular, que pretende usar moléculas individuais como componentes eletrônicos, é criar um dispositivo onde um fluxo de carga elétrica definido e controlável possa ser alcançado a temperatura ambiente. Um passo importante nesse sentido acaba de ser dado por uma equipe da Universidade de Colúmbia, nos EUA, que demonstrou que moléculas podem funcionar como elementos lógicos, como transistores ou diodos, funcionando a temperatura ambiente e de forma precisa, previsível e reprodutível.

Este é o primeiro experimento a demonstrar de forma reprodutível a capacidade de alternar um componente molecular do estado isolante para o estado condutor, onde a carga adicionada e removida consiste em um único elétron, abrindo caminho para a miniaturização sem precedentes que se espera obter com a eletrônica molecular.

Aglomerado molecular

Em vez de trabalhar com moléculas individuais, sensíveis demais, a equipe usou aglomerados moleculares, que se mostraram mais estáveis. "Descobrimos que esses aglomerados podem funcionar muito bem como diodos nanométricos a temperatura ambiente, cuja resposta elétrica podemos ajustar alterando sua composição química," explicou a professora Latha Venkataraman. "Teoricamente, um único átomo é o limite último, mas os componentes de átomos únicos não podem ser fabricados e estabilizados a temperatura ambiente. Com esses aglomerados moleculares, temos controle completo sobre sua estrutura, com precisão atômica, e podemos alterar a composição elementar e a estrutura de uma maneira controlável para gerar determinadas respostas elétricas."

A equipe criou um conjunto de átomos geometricamente ordenados com um núcleo inorgânico feito de apenas 14 átomos, resultando em um diâmetro de cerca de 0,5 nanômetro. Esse aglomerado foi então conectado a dois eletrodos de ouro, que permitiram caracterizar a resposta elétrica do aglomerado à medida que a tensão de polarização era variada. Segundo os pesquisadores, sua técnica lhes permite fabricar e medir milhares de junções com características de transporte reprodutíveis.

Circuitos lógicos moleculares

Vários experimentos anteriores usaram pontos quânticos para produzir efeitos semelhantes, mas como os pontos quânticos são muito maiores e não são uniformes em tamanho, devido à natureza de seu processo de fabricação, os resultados não são reprodutíveis - nem todos os dispositivos feitos com pontos quânticos se comportam do mesmo modo.

Já os grupos moleculares inorgânicos são menores e idênticos em forma e tamanho, permitindo calcular exatamente o comportamento elétrico que será obtido deles até a escala atômica. O próximo passo será usar os aglomerados inorgânicos para compor os primeiros circuitos lógicos moleculares.


terça-feira, 29 de agosto de 2017

Livros e Revista

Estou remanejando os arquivos de livros, alguns que recebi um comentário recentemente eu já acertei os links, mas ainda tem muitos com o link quebrado, só que o problema não é só esse, o site que eu armazenava as imagens está fora do ar e por isso além dos links eu tenho que acertar as imagens também, por isso peço a todos um pouco de paciência que aos poucos estarei arrumando tudo.

Se você tentou baixar algum livro que está com o link quebrado, aguarde mais alguns dias e tente novamente.

Também estou arrumando algumas revistas que recebi a algum tempo, como recebi as imagens soltas eu precisei juntar em um arquivo pdf antes de postar, a maioria eu já acertei, só faltam duas edições da Exp. e Brincadeiras com Eletrônica Jr. que vão demorar um pouco mais porque tenho que acertar as imagens.

MELRAM: Memória magnética com consumo quase zero


A memória magnetoelétrica usa efeitos mecânicos, elétricos e magnéticos para guardar os dados.



Memória magnetoelétrica

Uma equipe de pesquisadores da França e da Rússia acaba de obter um resultado revolucionário na área das memórias e do processamento de dados em geral: eles desenvolveram uma memória de acesso aleatório magnetoelétrica (MELRAM), que funciona a temperatura ambiente e diminui a geração de calor por várias ordens de grandeza nas operações de leitura dos dados.

O protótipo ainda é grande, medindo quase um milímetro, mas a equipe garante que sua solução pode ser miniaturizada sem nenhum efeito adverso sobre sua eficiência, o que torna a MELRAM promissora para aplicações em computadores com boot instantâneo, pendrives de consumo próximo a zero e centros de armazenamento de dados que exijam menos ar condicionado. Tem havido um enorme esforço para a criação de novos tipos de memória mais energeticamente eficientes porque mais de 99% do consumo de energia para o processamento e armazenamento de informações é desperdiçado sob a forma de calor.

MELRAM

Cada célula da memória magnetoelétrica, ou MELRAM, é formada por dois componentes. O primeiro é um material piezoelétrico, a propriedade de certos materiais que se deformam em resposta a uma tensão elétrica e, inversamente, geram eletricidade sob tensão mecânica. O outro componente é uma estrutura em camadas caracterizada por uma alta magnetoelasticidade - sua magnetização depende da tensão mecânica a que estiver submetida. Como a estrutura desse material misto é anisotrópica - isto é, é organizada de forma diferente ao longo de diferentes eixos, - ele pode ser magnetizado ao longo de duas direções, que correspondem ao zero e ao um lógicos do código binário. Em contraste com a DRAM, a RAM dinâmica tradicional, as células da memória magnetoelétrica são capazes de manter seu estado, não precisando ser continuamente reescritas, e não perdem informações quando a energia é desligada.

"Construímos uma peça de prova com cerca de 1 milímetro e mostramos que ela funciona. Vale ressaltar que as estruturas que utilizamos podem servir como base para células de memória de tamanho nano, cujas dimensões são semelhantes às das células de memória RAM normais," disse o professor Anton Churbanov, do Instituto de Física e Tecnologia de Moscou.


Técnica de leitura

Embora a mistura de materiais um tanto exóticos explique o sucesso desta nova abordagem, uma questão crucial para tornar práticas as memórias magnetoelétricas foi um novo mecanismo de leitura de dados criado pela equipe, fornecendo uma alternativa aos sofisticados sensores de campo magnético usados em protótipos anteriores, equipamentos esses que não podem ser facilmente miniaturizados.

Ocorre que, quando uma tensão é aplicada à célula de memória, a camada piezoelétrica da estrutura é deformada. Dependendo da natureza da tensão mecânica resultante, a magnetização assume uma orientação específica, armazenando a informação, e essa mudança de orientação do campo magnético eleva a tensão na célula. Basta então detectar essa tensão para determinar o estado da célula de memória - se ela está com valor zero ou um. Um inconveniente é que a operação de leitura afeta a magnetização, exigindo regravar o valor que foi lido - nas RAM atuais, os dados têm que ser regravados continuamente, sendo lidos ou não. Os ganhos de economia de energia registrados no protótipo já levam em conta esta regravação pós-leitura.

sábado, 26 de agosto de 2017

Revista Eletrônica Modular




Mais uma revista que até então eu não conhecia, começou a ser vendida nas bancas em 2000/2001 aproximadamente e parece que teve apenas sessenta edições.
Recebi três edições de um leitor do blog que está procurando pelos outros números, quem tiver e quiser contribuir é só me enviar por e-mail que está em "Contribuições" no blog.

Qualquer problema nos links deixem um comentário.


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